코터로 웨이퍼를 고속으로 회전하는 동안 UV 광으로 인해 속성을 변화시키는 감광성 재료 (포토 레지스트)는 웨이퍼의 전체 표면에 고르게 적용됩니다.

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IC 회로를 묘사 한 유리 마스크는 웨이퍼와 정렬되며, UV 라이트는 노출기를 사용하여 빛나고 포토 레지스트로 전송됩니다.

개발자가 웨이퍼에 균등하게 쏟아져 그린 패턴을 만듭니다. 포지티기의 포토 레지스트는 양의 저항에서 빛에 노출 된 영역과 음의 저항의 빛에 노출 된 영역에서 가용성이 용해되고 마스크 패턴이 웨이퍼에 형성됩니다.

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필름은 플라즈마 에칭 장치를 사용하여 Photoresist로 형성된 패턴에 따라 긁어 져 있습니다. Photoresist에 의해 보호되는 부분은 여전히 ​​쇼도되지 않습니다.

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에칭 후 더 이상 포토리스트가 필요하지 않습니다. 또한, 웨이퍼를 청소 장치를 사용하여 화학 용액에 담그기 위해 웨이퍼의 남은 불순물을 제거함으로써 웨이퍼를 세척합니다.

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