단결정 실리콘은 칩 제조 공정에서 처리하기 쉬운 모양을 갖춘 웨이퍼로 생성되어 처리됩니다.

웨이퍼는 열처리 장치에 배치되고 산소 가스가 열처리 장치로 흘러 들어가고 실리콘 산화물 필름은 고온에서 성장합니다. 다음으로, 실란 및 암모니아 가스가 흐르고, 실리콘 질화물 필름이 CVD 방법에 의해 상단에 증착된다.

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